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目录1

第一章 电子学发展新阶段1

一、大规模和超大规模集成电路的诞生1

二、大规模和超大规模集成电路的涵义4

三、大规模和超大规模集成电路开创了电子学的新局面6

四、超大规模集成电路的发展特点10

第二章 大规模和超大规模集成电路是科学技术发展的迫切需要14

一、突破中、小规模集成电路的速度极限14

二、大规模和超大规模集成电路全面刷新了电子设备的指标18

第三章 大规模和超大规模集成电路是集成技术发展的必然结果27

一、集成技术发展的主要趋向27

二、提高加工工艺精度和缩小晶体管图形几何尺寸29

三、探索新的晶体管结构形式30

四、扩大芯片面积31

五、硅片直径的不断增大33

第四章 大规模和超大规模集成电路的设计思想和结构特点37

一、设计思想的改变37

二、电路功耗的考虑41

三、单元电路的结构设计特点42

四、向立体结构方向发展48

第五章 大规模和超大规模集成电路的设计分析手段53

一、问题的提出53

二、计算机辅助设计（CAD）的主要内容55

三、利用计算机分析和设计集成电路59

第六章 计算机辅助制版63

一、计算机辅助制版基本原理64

二、制版程序——软件系统66

三、图形发生器70

四、计算机设计制版技术的进一步发展77

第七章 大规模和超大规模集成电路的工艺与设备特点80

一、大规模和超大规模集成电路孕育于新工艺、新设备之中80

二、大规模和超大规模集成电路的工艺与设备特点86

三、检测设备在大规模和超大规模集成电路制作中的重要性90

第八章 大规模和超大规模集成电路的工艺基础——精细和超精细加工技术97

一、精细和超精细加工技术所包含的主要内容97

二、非接触式曝光技术100

三、远紫外光曝光技术108

四、X射线曝光技术110

五、电子束曝光技术113

六、离子束曝光技术117

七、离子束干法蚀刻技术120

八、精密控制掺杂技术——离子束注入技术122

九、薄膜生长技术127

第九章　对材料和制作环境的要求134

一、硅单晶材料135

二、超纯水142

三、超纯气体145

四、超纯化学试剂和化学品149

五、超净制作环境155

第十章　现实与展望164